⚡️ Samsung идёт на риск, чтобы вернуть лидерство в гонке AI-памяти - ставка на сверхбыструю HBM4

Samsung решила изменить правила игры на рынке чипов и убедить Nvidia повысить официальную скорость HBM4, даже несмотря на то, что конкуренты: SK Hynix и Micron - раньше показали первые образцы.

Обычно разработчики HBM (High Bandwidth Memory) делают акцент на контроле температуры, ведь многослойная DRAM быстро нагревается. Но теперь Nvidia потребовала большего - выше частоты, выше скорость.

Для Hynix и Micron это стало неожиданностью: их решения оптимизированы под стабильность, а не под разгон.

А вот Samsung оказалась готова. Её HBM4-чипы уже достигли более высоких частот на тестах - благодаря технологическому преимуществу:
- DRAM-чипы производятся по 1c-процессу (6-е поколение 10 нм),
- базовый логический кристалл - на 4-нм техпроцессе Samsung Foundry.
Для сравнения:
- SK Hynix использует 12-нм процесс TSMC,
- Micron - старый DRAM-процесс.

Более продвинутая литография даёт Samsung лучший контроль над энергопотреблением и сигналами.

Компания уже ускоряет производство и планирует вывести HBM4 на рынок в 2026 году, когда спрос на память для AI-систем резко превысит предложение.
Такой шаг может вернуть Samsung утраченные позиции после неудачи с HBM3E.

Ключевой момент - тесты Nvidia Rubin. Если HBM4 покажет проблемы с нагревом или надёжностью при интеграции, вся стратегия может рухнуть.
Но если всё пройдёт успешно, Samsung сможет опередить Hynix и Micron, снова захватив лидерство в памяти для AI-ускорителей.

Итог: Samsung делает ставку на скорость, технологии и масштаб. Это рискованный, но стратегический шаг, который может определить баланс сил на рынке AI-чипов в ближайшие годы.

🟠Подробности

#Samsung #Nvidia #AI